Diferencia Entre Grupo Y Equipo De Mujeres

Lecciones de trabajo en equipo upn

A las materias primas iniciales para la mayoría de los productos de la industria microelectrónica sirve el siliceo electrónico. La primera etapa de su recepción es la fabricación de las materias primas llamadas por el siliceo técnico (metalúrgico).

A principios del proceso del crecimiento del monocristal la parte del monocristal se funde para la eliminación en ello de las partes con la densidad subida de las tensiones mecánicas y los defectos. Luego hay un estiramiento gradual del monocristal del fundido.

Por las medidas eléctricas de los modelos de test el contenido residual de los donadores debe abastecer la resistencia del siliceo del n-tipo no menos 5000 Om·sm, y por los aceptadores cerca de los cristales del r-tipo — no menos 8000 Om·sm.

Con la temperatura es más alto 300 ° en los productos de las reacciones casi falta por completo. Para el aumento de la salida THS la temperatura del proceso bajan que lleva a la demora considerable las reacciones (. Para el aumento de la velocidad de la reacción los catalizadores (el cobre, el hierro, el aluminio etc.). Así,, a la introducción en el siliceo inicial hasta 5 % del cobre el contenido en la mezcla de los productos de la reacción con temperatura 265 ° llega hasta 95 %.

reciben habitualmente por medio de la hidrocloración : por la interacción del siliceo técnico con o con la mezcla de los gases que contienen el hidrógeno, a 260—400 °.

El defecto por Frenkelyu representa el vacante y el átomo. La concentración de estos defectos es calculada también por la fórmula, pero con el gran significado de la energía de la formación del átomo W = 4,5. El vacante y los átomos se trasladan dentro de la rejilla a expensas de la energía térmica.

Por la segunda modificación del método de test el monocristal crían directamente de la fase de gas en la barra en el reactor minúsculo de cuarzo y más miden su resistencia.

Con el crecimiento de los cristales del siliceo con la densidad muy baja de las dislocaciones surge el tipo de los defectos, que, es probable, son característicos exclusivamente para los cristales de semiconductor y en la actualidad son investigados es intenso. Por su dimensión pequeña llaman los microdefectos.

Las condiciones óptimas del proceso de la reconstitución cuentan temperatura 1100—1150 °, la relación 2: SiHCl3 en 5-15, la densidad de la presentación 0,004 / (h ·. A de las barras más abajo de óptimo sube el grado en del siliceo y se disminuye la salida del siliceo. El aumento de la temperatura lleva al acrecentamiento esencial de los costos de energía. A óptimo la relación 2: SiHCl3 = 5-15 barras tienen denso la estructura y relativamente la superficie llana. Fuera de los límites de estas relaciones se forma la superficie desigual, la estructura de las barras se hace con las inclusiones de los tiempos de gas, que a la fusión ulterior del polisiliceo durante la cultivación de los cristales llevan a y la rociada del fundido.

Los esquemas modernos tecnológicos de la recepción del siliceo incluyen la regeneración y repetido de todos los componentes y los productos de las reacciones de la reconstitución ( que mejora los índices tecnológicos á, baja el precio de costa del siliceo recibido, hace el proceso es ecológico más puro.

Los dos como los defectos se forman a expensas de las tensiones mecánicas que existen en el cristal, y son condicionados al gradiente de la temperatura o la concentración grande de los átomos. Las dislocaciones territoriales en los cristales usados para la producción, como regla, faltan.